Samsung Electronics Koreya Respublikasının Giheung şəhərində yarımkeçiricilər üzrə yeni tədqiqat və təkmilləşdirmə obyektinin təməlini qoyub. 2028-ci ilə qədər şirkət yeni mərkəzə 20 trilyon von (15 milyard dollar) sərmayə qoyacaq. Yeni mərkəz gələcək nəsil yaddaş və digər yarımkeçiricilər üzrə tədqiqatlar aparacaq, həmçinin sıçrayış texnologiyalarını inkişaf etdirəcək.
190 min kvadratmetr sahəsi olan yeni kompleks. m-nin 2028-ci ilə qədər tamamlanması planlaşdırılır. Yeni Ar-Ge mərkəzinin yaradılması ilə Samsung Electronics yarımkeçirici miqyasda məhdudiyyətləri aradan qaldırmağı və yarımkeçirici texnologiyasında rəqabət üstünlüyünü gücləndirməyi hədəfləyir.
Samsung iyulun 25-də GAA tranzistorlarından istifadə edərək hazırlanmış 3nm çiplərinin ilk partiyasını göndərməyə başlamaq üçün mərasim keçirdi. Tədbirdə Cənubi Koreyanın ticarət, sənaye və energetika naziri Joo Hyun-hvan və Samsung-un bütün əsas işçiləri də daxil olmaqla 100-ə yaxın insan iştirak edib.
bbabo.Net