Специалисты из IBM Research впервые показали способ надёжного хранения 3 битов данных в ячейке, использовав относительно новую технологию, известную как память с изменением фазового состояния (PCM).

В памяти PCM одному логическому уровню соответствует аморфное состояние вещества (низкая проводимость), второму — кристаллическое (высокая). Помимо этого, технология – энергонезависимая, информация сохраняется даже при отсутствии питания. От распространённой флэш-памяти она отличается высоким быстродействием и длительным сроком службы – число циклов перезаписи составляет не менее 10 млн. Для сравнения, современная флэш-память, используемая в SSD и flash-накопителях, выдерживает около 3000 перезаписей.

По мнению специалистов IBM, память PCM может использоваться самостоятельно или вместе с флэш-памятью. Во втором случае PCM выступает в роли высокоскоростного буфера.

Использование новой разработки значительно повысит объёмы хранимой на накопителях памяти.

bbabo.Net